[发明专利]存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种存储器及其制备方法，所述制备方法包括在用于形成位线接触的位线接触区的半导体衬底中形成一掺杂区；在位线接触区的半导体衬底上形成一与所述掺杂区接触的位线接触，与所述掺杂区接触的位线接触中掺杂有第一导电类型的离子，即，本发明中的存储器的制备方法中，位线接触中掺杂离子具有与掺杂区中掺杂离子相同的导电类型，并使掺杂区中的离子掺杂浓度小于位线接触中的离子掺杂浓度并往远离述位线接触的方向梯度递减，从而可使位线接触和掺杂区构成一浓度梯度，使位线接触和掺杂区之间可形成一低漏电流的接触面，进一步改善存储器的漏电流现象。

主权项

一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上定义有一用于形成位线接触的位线接触区；在所述位线接触区的半导体衬底中形成一第一导电类型的掺杂区；以及，在所述位线接触区的半导体衬底上形成一与所述掺杂区接触的位线接触，与所述掺杂区接触的位线接触中掺杂有第一导电类型的离子，所述位线接触中的离子掺杂浓度大于所述掺杂区中的离子掺杂浓度，并且所述掺杂区中的离子掺杂浓度往远离所述位线接触的方向梯度递减；其中，所述掺杂区的形成方法包括：执行氧化工艺，在所述半导体衬底上形成一氧化层；执行第一离子注入工艺，在所述位线接触区的半导体衬底中形成第一导电类型的所述掺杂区；以及在执行第一离子注入工艺后，执行热退火工艺，形成离子浓度梯度分布的掺杂区。