[发明专利]双极性晶体管装置

摘要

本发明公开了一种双极性晶体管装置，包含一基板与至少一第一晶体管单元。第一晶体管单元包含一第一掺杂井区、至少一第一鳍式结构与至少一第二鳍式结构，且第一掺杂井区为第一导电型。第一鳍式结构包含一第一闸极带与设于第一掺杂井区中的第一掺杂鳍，且第一闸极带为浮接。第二鳍式结构包含一第二闸极带与设于第一掺杂井区中的第二掺杂鳍，且第二闸极带为浮接。第一掺杂鳍、第二掺杂鳍与第一掺杂井区形成第一双载子接面晶体管，且第一掺杂鳍与第二掺杂鳍分别连接高电压端与低电压端。

主权项

1.一种双极性晶体管装置，其特征在于，包含：一基板；至少一第一晶体管单元，包含：一第一掺杂井区，其为第一导电型，该第一掺杂井区设于该基板中；至少一第一鳍式结构，包含：多个第一掺杂鳍，其均匀设于该第一掺杂井区中并沿第一方向设置，每一该第一掺杂鳍具有一第一掺杂区与两个第一重掺杂区，该第一掺杂区为该第一导电型，该多个第一重掺杂区为第二导电型，每一该第一掺杂区设于其对应的该两个第一重掺杂区之间，该多个第一掺杂区与该多个第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中并从该基板的表面上凸出；以及一第一闸极带，设于该多个第一掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上并沿与该第一方向相交的第二方向设置，且该第一闸极带为浮接；以及至少一第二鳍式结构，包含：多个第二掺杂鳍，其均匀设于该第一掺杂井区中并沿该第一方向设置，每一该第二掺杂鳍具有一第二掺杂区与二第二重掺杂区，该第二掺杂区为该第一导电型，该多个第二重掺杂区为该第二导电型，每一该第二掺杂区设于其对应的该两个第二重掺杂区之间，该多个第二掺杂区与该多个第二重掺杂区设于该第一掺杂井区中并从该基板的该表面上凸出；以及一第二闸极带，设于该多个第二掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上并沿该第二方向设置，且该第二闸极带为浮接，该多个第一重掺杂区、该多个第二重掺杂区与该第一掺杂井区形成多个第一双载子接面晶体管，该多个第一重掺杂区连接一高电压端，该多个第二重掺杂区连接一低电压端，该高电压端与该低电压端的电压对该多个第一双载子接面晶体管进行偏压，以产生多个通过该多个第一双载子接面晶体管的第一静电放电电流。