[发明专利]双极性晶体管装置

权利要求书

1.一种双极性晶体管装置，其特征在于，包含：

一基板；

至少一第一晶体管单元，包含：

一第一掺杂井区，其为第一导电型，该第一掺杂井区设于该基板中；

至少一第一鳍式结构，包含：

多个第一掺杂鳍，其均匀设于该第一掺杂井区中并沿第一方向设置，每一该第一掺杂鳍具有一第一掺杂区与两个第一重掺杂区，该第一掺杂区为该第一导电型，该多个第一重掺杂区为第二导电型，每一该第一掺杂区设于其对应的该两个第一重掺杂区之间，该多个第一掺杂区与该多个第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中并从该基板的表面上凸出；以及

一第一闸极带，设于该多个第一掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上并沿与该第一方向相交的第二方向设置，且该第一闸极带为浮接；以及

至少一第二鳍式结构，包含：

多个第二掺杂鳍，其均匀设于该第一掺杂井区中并沿该第一方向设置，每一该第二掺杂鳍具有一第二掺杂区与二第二重掺杂区，该第二掺杂区为该第一导电型，该多个第二重掺杂区为该第二导电型，每一该第二掺杂区设于其对应的该两个第二重掺杂区之间，该多个第二掺杂区与该多个第二重掺杂区设于该第一掺杂井区中并从该基板的该表面上凸出；以及

一第二闸极带，设于该多个第二掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上并沿该第二方向设置，且该第二闸极带为浮接，该多个第一重掺杂区、该多个第二重掺杂区与该第一掺杂井区形成多个第一双载子接面晶体管，该多个第一重掺杂区连接一高电压端，该多个第二重掺杂区连接一低电压端，该高电压端与该低电压端的电压对该多个第一双载子接面晶体管进行偏压，以产生多个通过该多个第一双载子接面晶体管的第一静电放电电流。

2.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，当该第一导电型为P型时，该第二导电型为N型，当该第一导电型为N型时，该第二导电型为P型。

3.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第二方向与该第一方向相互垂直。

4.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第一鳍式结构还包含两个第一接触电极，两个第一接触电极分别设于位于该多个第一掺杂区的相异两侧的该多个第一重掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上，并沿该第二方向设置，该多个第一重掺杂区通过该多个第一接触电极连接该高电压端；以及该第二鳍式结构还包含两个第二接触电极，两个第二接触电极分别设于位于该多个第二掺杂区的相异两侧的该多个第二重掺杂区的顶部与侧壁及该基板的该表面上，并沿该第二方向设置，该多个第二重掺杂区通过该多个第二接触电极连接该低电压端。

5.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第一闸极带与该第二闸极带的材质为多晶硅。

6.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第一鳍式结构的数量为多个，该第二鳍式结构的数量为多个，该多个第一鳍式结构与该多个第二鳍式结构为交替式设置。

7.根据权利要求1所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第一鳍式结构的数量为两个，该第一晶体管单元还包含一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第二导电型，该第一掺杂区域设于该第一掺杂井区中，该第二鳍式结构设于该多个第一鳍式结构之间，该多个第二重掺杂区与该多个第二掺杂区设于该第一掺杂区域中，该第二闸极带设于该多个第一闸极带之间，且该第二闸极带连接该多个第一闸极带。

8.根据权利要求7所述的双极性晶体管装置，其特征在于，该第一掺杂区域为掺杂井区。