[发明专利]用于外延系统中的改进的膜均匀性的气体分配装置有效
| 申请号: | 201710131319.1 | 申请日: | 2017-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN107177832B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | S·D·科莫;R·维内;T·伯格曼;L·伯德;王文涛 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于外延系统中的改进的膜均匀性的气体分配装置,以在晶片上获得更好的膜均匀性。更好的膜均匀性可以通过利用膨胀增压室和多个例如比例阀以确保沿设置在晶片上方的每条气体管线的均衡压力或流量来实现。用于处理衬底的反应系统包括:反应室,其保持待处理的晶片;气体源;入口气体供给管线,其构造成从气体源接收气体;一对对称供给装置,其构造成分离来自入口气体供给管线的气体流;具有多个出口端口的膨胀增压室,其中膨胀增压室从一对对称供给装置接收气体;以及多个阀,多个阀构造成控制气体从多个出口端口进入反应室中的流量;以及其中多个阀保持在多个出口端口上的大致均衡压力。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 外延 系统 中的 改进 均匀 气体 分配 装置 | ||
【主权项】:
一种用于处理衬底的反应系统,包括:反应室,所述反应室保持待处理的晶片;气体源;入口气体供给管线,所述入口气体供给管线构造成从所述气体源接收气体;一对对称供给装置,所述对称供给装置构造成分离来自所述入口气体供给管线的气体流;具有多个出口端口的膨胀增压室,其中所述膨胀增压室从所述一对对称供给装置接收气体;以及多个阀,所述多个阀构造成控制所述气体从所述多个出口端口进入所述反应室中的流量;以及其中所述多个阀保持在所述多个出口端口上的大致均衡压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





