[发明专利]阵列基板及其修复方法有效
| 申请号： | 201710128017.9 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106876436B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡振飞;李蒙;李荣;袁粲;袁志东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其修复方法，属于阵列基板修复技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板修复时可能因修复线与栅线导通而造成修复不良的问题。本发明的阵列基板包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开；且所述阵列基板还包括：设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构，所述遮蔽结构由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开，其特征在于，所述阵列基板还包括：设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构，所述遮蔽结构由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710128017.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
