[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室

摘要

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

主权项

一种蚀刻低K介电质膜的方法，所述方法包括：将工作件载入蚀刻腔室中；通过用具有低能量非反应离子流轰击工作件来修改置于工作件上的低k介电质膜的顶部厚度，所述非反应离子流来自在第一腔室区域中被激发的第一源气体的电容耦合的的等离子体；选择性地在所述低k介电质膜上方蚀刻经修改的所述低k介电质膜的顶部厚度，将所述低k介电质膜通过将所述工作件暴露于反应性物质被设置在所述顶部厚度的下方，所述反应性物质由第二腔室区域中被激发的第二源气体的等离子体产生；周期性地重复修改和蚀刻二者直到满足蚀刻制程终止标准；并且自所述蚀刻腔室卸载所述工作件。