[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室

权利要求书

1.一种蚀刻介电质膜的方法，所述方法包括：

将工作件载入蚀刻腔室中；

通过用具有低能量非反应离子流轰击工作件来修改置于工作件上的介电质膜的顶部厚度，所述非反应离子流来自在第一腔室区域中被激发的第一源气体的电容耦合的等离子体，其中所述轰击机械地研磨所述顶部厚度；

通过将所述工作件暴露于反应性物质而选择性地在设置在所述顶部厚度下方的所述介电质膜上蚀刻经修改的所述介电质膜的顶部厚度，所述反应性物质由第二腔室区域中被激发的第二源气体的等离子体产生；

周期性地重复修改和蚀刻二者直到满足蚀刻制程终止标准；并且

自所述蚀刻腔室卸载所述工作件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电质包含碳，并且其中所述修改包括降低所述介电质膜的所述顶部厚度中的碳含量。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一腔室区域在支撑所述工作件的夹盘和第一喷淋头之间，并且其中所述第二腔室区域设置于所述第一喷淋头上方，与所述夹盘相对。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，电容耦合的等离子体通过利用向所述工作件提供射频偏压电位的射频源驱动所述夹盘来产生。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二源气体的等离子体包括电容射频放电、直流放电或感应射频放电。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过从第二腔室区域中的第三源气体产生氧化等离子体，并且将含硅前驱物与来自所述第一腔室区域中的氧化等离子体反应性物质反应，来将保护层沉积在经蚀刻的所述介电质膜的侧壁上。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积所述保护层进一步包括，在预定数目的修改和蚀刻周期之后，周期性地将碳掺杂的氧化硅层沉积在所述工作件上。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一源气体包含氩、氖、氙、氦中的至少一个，并且其中所述第二源气体至少包含NF₃和氢气源。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻期间将所述工作件控制在至少80℃的预定的升高的温度。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，整个蚀刻制程期间将所述工作件维持在所述预定的升高的温度。