[发明专利]一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池有效
申请号: | 201710127265.1 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN106876513B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 张彤;张晓阳;王善江;苏丹 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/074 | 分类号: | H01L31/074;H01L31/0352 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池。本发明采用n型有机聚合物材料与p型硅衬底构成的异质结作为可见光波段的子电池,并在电池的制备过程中引入等离激元陷光结构,实现电池对可见光波段光的高效吸收;采用传导型表面等离极化激元(SPP)纳米锥晶体阵列结构与n型有机聚合物材料层作为红外波段的子电池,通过设计纳米锥阵列的尺寸和形貌,利用太阳光中长波段的入射光在纳米锥与n型有机聚合物界面激励起SPP模式波,通过分离与收集该模式波通过能量转化得到的电子空穴对,实现对特定波段的红外光的响应或红外波段宽光谱的响应。该电池设计可综合解决传统多结电池中的晶格匹配及成本高问题,大幅降低电池材料成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 极化 横向 集成 太阳电池 | ||
【主权项】:
1.一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池,其特征在于,该太阳电池由透明导电薄膜层(1)、纳米锥晶体阵列结构(2)、等离激元陷光结构(3)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)和背电极(6)构成;其位置关系,由上至下依次为透明导电薄膜层(1)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)、背电极(6),其中纳米锥晶体阵列结构(2)在p型硅衬底(5)上,上部与透明导电薄膜层(1)紧密接触,其下部与n型有机导电材料层(4)紧密接触;等离激元陷光结构(3)分散在有机导电材料层(4)中或者分散在有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)界面处;纳米锥晶体阵列结构(2)与n型有机导电材料层(4)在横向上构成异质结,n型有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)构成异质结,这两种异质结均与透明导电薄膜层(1)和背电极(6)形成导电通路。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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