[发明专利]一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池有效

专利信息
申请号: 201710127265.1 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN106876513B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 张彤;张晓阳;王善江;苏丹 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/074 分类号: H01L31/074;H01L31/0352
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池。本发明采用n型有机聚合物材料与p型硅衬底构成的异质结作为可见光波段的子电池,并在电池的制备过程中引入等离激元陷光结构,实现电池对可见光波段光的高效吸收;采用传导型表面等离极化激元(SPP)纳米锥晶体阵列结构与n型有机聚合物材料层作为红外波段的子电池,通过设计纳米锥阵列的尺寸和形貌,利用太阳光中长波段的入射光在纳米锥与n型有机聚合物界面激励起SPP模式波,通过分离与收集该模式波通过能量转化得到的电子空穴对,实现对特定波段的红外光的响应或红外波段宽光谱的响应。该电池设计可综合解决传统多结电池中的晶格匹配及成本高问题,大幅降低电池材料成本。
搜索关键词: 一种 极化 横向 集成 太阳电池
【主权项】:
1.一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池,其特征在于,该太阳电池由透明导电薄膜层(1)、纳米锥晶体阵列结构(2)、等离激元陷光结构(3)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)和背电极(6)构成;其位置关系,由上至下依次为透明导电薄膜层(1)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)、背电极(6),其中纳米锥晶体阵列结构(2)在p型硅衬底(5)上,上部与透明导电薄膜层(1)紧密接触,其下部与n型有机导电材料层(4)紧密接触;等离激元陷光结构(3)分散在有机导电材料层(4)中或者分散在有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)界面处;纳米锥晶体阵列结构(2)与n型有机导电材料层(4)在横向上构成异质结,n型有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)构成异质结,这两种异质结均与透明导电薄膜层(1)和背电极(6)形成导电通路。
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