[发明专利]一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池

权利要求书

1.一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，该太阳电池由透明导电薄膜层(1)、纳米锥晶体阵列结构(2)、等离激元陷光结构(3)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)和背电极(6)构成；其位置关系，由上至下依次为透明导电薄膜层(1)、n型有机导电材料层(4)、p型硅衬底(5)、背电极(6)，其中纳米锥晶体阵列结构(2)在p型硅衬底(5)上，上部与透明导电薄膜层(1)紧密接触，其下部与n型有机导电材料层(4)紧密接触；等离激元陷光结构(3)分散在有机导电材料层(4)中或者分散在有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)界面处；纳米锥晶体阵列结构(2)与n型有机导电材料层(4)在横向上构成异质结，n型有机导电材料层(4)与p型硅衬底(5)构成异质结，这两种异质结均与透明导电薄膜层(1)和背电极(6)形成导电通路。

2.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，透明导电薄膜层(1)，供选材料为氧化铟锡ITO、掺铝氧化锌AZO或掺氟氧化锡FTO，厚度为10纳米到100纳米。

3.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，纳米锥晶体阵列结构(2)，供选材料为金、银或钯材料，间距为10纳米到100纳米，底部直径为10纳米到50纳米，高度为500纳米到1000纳米。

4.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，等离激元陷光结构(3)，供选材料为金、银或钯材料，采用的形状为圆片、椭圆片、四边形片或六边形片，尺寸为10纳米到50纳米。

5.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，n型有机导电材料层(4)，厚度为10纳米到100纳米。

6.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，p型硅衬底(5)，厚度为1微米到100微米。

7.根据权利要求1所述的一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池，其特征在于，背电极(6)，供选材料为金、铟、铝或铟镓混合物，厚度为10纳米到100纳米。