[发明专利]能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710122715.8 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106981522B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 赖俊文;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 高文龙 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括自下而上依次设置的背银电极、铝背场、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,铝背场通过背铝条与P型硅相连,所述P型硅为电池的硅片,N型硅为在硅片正面扩散形成的N型发射极,所述正面氮化硅膜沉积在硅片正面,所述背面氧化铝膜沉积在所述硅片背面,硅片沉积所述正面氮化硅膜后再沉积所述的背面氧化铝膜,并且在沉积所述背面氧化铝膜前对硅片背面进行清洗。该电池可以显著提升背面氧化铝膜的钝化效果,提高电池的开路电压和短路电流,从而提升电池的光电转换效率。本发明同时公开了该太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 氧化铝膜 背面 太阳能电池 氮化硅膜 沉积 光电转换效率 电池 制备 硅片背面 硅片正面 铝背场 硅片 背银电极 短路电流 钝化效果 开路电压 依次设置 正银电极 再沉积 铝条 清洗 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池,其特征在于:所述电池包括自下而上依次设置的背银电极、铝背场、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的多条激光开槽区,多条激光开槽区平行设置,每个激光开槽区内均填充有背铝条,所述背铝条与所述的铝背场采用铝浆料一体印刷成型,铝背场通过背铝条与P型硅相连,所述的背银电极、铝背场、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极自下而上依次相连接,所述P型硅为电池的硅片,N型硅为在硅片正面扩散形成的N型发射极,所述正面氮化硅膜沉积在硅片正面,所述背面氧化铝膜沉积在所述硅片背面,硅片沉积所述正面氮化硅膜后再沉积所述的背面氧化铝膜,并且在沉积所述背面氧化铝膜前对硅片背面进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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