[发明专利]制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201710116620.5 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538838B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴佳臻;陈品宏;张凯钧;黄怡安;蔡志杰;陈姿洁;郑存闵;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。先提供一基底，具有一导电区域。再于导电区域上沉积一金属层，其中该金属层与导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层，其具有一第一金属原子百分比。接着于金属层上沉积一氮化钛层。再于氮化钛层上沉积一介电盖层。再进行退火制作工艺，将第一硅化金属层转变成具有一第二金属原子百分比的一第二硅化金属层，其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 金属原子 硅化金属层 导电区域 金属层 沉积 半导体元件 退火 一氮化钛层 氮化钛层 制作工艺 电盖 基底 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：/n提供一基底，其上具有多个元件结构及多个导电区域，位于该多个元件结构之间，其中各该导电区域包含硅；/n在该多个元件结构及该多个导电区域上沉积一金属层，其中该金属层与各该导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层，其具有一第一金属原子百分比，其中该第一硅化金属层上仍有未反应完的该金属层；/n在该金属层上沉积与该金属层直接接触的一氮化钛层；/n在该氮化钛层上沉积与该氮化钛层直接接触的一介电盖层；以及/n在该氮化钛层覆盖该金属层且与该金属层直接接触并且该介电盖层覆盖该氮化钛层且与该氮化钛层直接接触的状态下进行一退火制作工艺，将具有该第一金属原子百分比的该第一硅化金属层转变成一具有一第二金属原子百分比的第二硅化金属层，其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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