[发明专利]高分子薄膜极化方法、极化膜及电子器件有效

专利信息
申请号: 201710108374.9 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN107104179B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 王开安 申请(专利权)人: 王开安
主分类号: H01L41/257 分类号: H01L41/257;H01L41/08
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 王立红
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种高分子薄膜极化方法,在第一电场的作用下电离待极化高分子薄膜上方的环境气体,该环境气体穿过所述第二电场而聚集在高分子薄膜第二表面,使高分子薄膜内形成沿薄膜厚度方向的膜内电场,对所述高分子薄膜进行极化。该高分子薄膜极化方法能避免高分子薄膜被击穿,有效提高极化膜的生产合格率,可以实现大规模生产;且制得的极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种极化膜,采用上述高分子薄膜极化方法制备得到,该极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。本发明还提供一种电子器件,其包括基底以及上述的极化膜。
搜索关键词: 高分子 薄膜 极化 方法 电子器件
【主权项】:
一种高分子薄膜极化方法,其特征在于:包括:提供待极化高分子薄膜,其包括相对的第一表面和第二表面,使该薄膜第一表面电势为零,在所述待极化高分子薄膜第二表面的上方提供第一电场以及第二电场,所述第一电场电势高于所述第二电场的电势,在所述第一电场的作用下电离待极化高分子薄膜上方的环境气体,该环境气体穿过所述第二电场而聚集在所述高分子薄膜第二表面,使所述高分子薄膜内形成沿所述薄膜厚度方向的膜内电场,对所述高分子薄膜进行极化。
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