[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201710087360.3 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106972083B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吉亚莉;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层和有源层，其中，有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向反应腔内通入三甲基镓，并向反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；步骤2：停止向反应腔内通入三甲基铟，并向反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；通过利用反应腔内生长N型层或量子垒层时剩余的三甲基镓生长量子阱层，由于在生长量子阱层时只补充了三甲基铟，因此可以提高量子阱层中的In的组分，从而可以提高电子和空穴在有源层中复合的比例，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层；向反应腔内通入三甲基镓，生长N型层；在所述N型层上生长有源层，其中，所述有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向所述反应腔内通入三甲基镓，并向所述反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；步骤2：停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；重复上述步骤1和步骤2，以在所述N型层上形成所述有源层；在所述有源层上生长P型层。
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