[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201710087360.3 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106972083B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吉亚莉;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层；
向反应腔内通入三甲基镓，生长N型层；
在所述N型层上生长有源层，其中，所述有源层采用下述方式生长：
步骤1：停止向所述反应腔内通入三甲基镓，并向所述反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；
步骤2：停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；
重复上述步骤1和步骤2，以在所述N型层上形成所述有源层；
在所述有源层上生长P型层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层，包括：
停止向所述反应腔内通入三甲基铟，向所述反应腔内通入三甲基镓、N2，在所述InGaN量子阱层上生长一层GaN盖层；
继续向所述反应腔内通入三甲基镓、N2，同时通入H2，在所述GaN盖层上生长一层GaN量子垒子层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述GaN盖层的生长温度低于生长在其上的所述GaN量子垒子层的生长温度。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述GaN盖层上生长所述GaN量子垒子层时，通入反应腔的H2和N2的物质的量之比为1∶20～20∶1。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，重复所述步骤1和所述步骤2的次数为8～20次。
6.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的生长温度为620～750℃。
7.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述GaN量子垒层的生长温度为700～900℃。
8.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，在前n次生长所述GaN量子垒层时，所述制备方法还包括：
向所述反应腔内通入硅烷，其中n小于所述GaN量子垒层的总层数。
9.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的生长厚度为0.5～5nm。
10.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述GaN量子垒层的生长厚度为8～15nm。
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