[发明专利]晶片的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710083811.6 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107086185B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 渡部俊一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片的检查装置、利用了该检查装置的晶片的检查方法以及半导体装置的制造方法，目的在于得到对从晶片的表面起贯穿至背面的裂纹进行检测的晶片的检查装置、晶片的检查方法、以及利用了该检查方法的半导体装置的制造方法。具有：晶片保持机构，其用于对晶片进行保持；光源，其将被所述晶片遮挡、穿过裂纹的照射光照射至所述晶片的第1面，该裂纹从所述晶片的所述第1面起贯穿至第2面；以及受光部，其设置于所述第2面侧，对穿过了所述晶片的所述照射光进行受光，发出与所受光的所述照射光相对应的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 检查 装置 方法 以及 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种晶片的检查装置，其特征在于，具有：晶片保持机构，其用于对晶片进行保持；光源，其将被所述晶片遮挡、穿过裂纹的照射光照射至所述晶片的第1面，该裂纹从所述晶片的所述第1面起贯穿至第2面；以及受光部，其设置于所述第2面侧，对穿过了所述晶片的所述照射光进行受光，发出与所受光的所述照射光相应的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
