[发明专利]一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法

摘要

本发明提供了一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法，包括：第一步骤：执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到利用逻辑栅极光阻刻蚀逻辑栅极的步骤；第二步骤：对逻辑栅极光阻进行灰化及湿法剥离处理，暂不进行逻辑区栅极硬掩膜湿法去除；第三步骤，继续执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到字线刻蚀；第四步骤：湿法去除逻辑栅极硬掩膜；其中，在第二步骤中在湿法剥离处理中可以使用稀氟氢酸。本发明将原来位于逻辑栅刻蚀之后的“湿法去除逻辑硬掩膜”工艺移动到字线刻蚀之后，避免了该湿法刻蚀对字线保护氧化层的影响，改善了字线形貌，减少了编程串扰失效。同时，逻辑栅极光阻湿法去除可以使用稀氟氢酸，避免了光阻残留等缺陷问题。

主权项

1.一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的工艺制造方法，其特征在于包括：/n第一步骤：执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到利用逻辑栅极光阻刻蚀逻辑栅极的步骤；/n第二步骤：对逻辑栅极光阻进行灰化及湿法剥离处理；/n第三步骤：继续执行分栅快闪存储器的制造工艺，直到字线刻蚀完成；在第三步骤中，字线刻蚀包括保护氧化层刻蚀；字线保护氧化层越厚，字线会比较高，后续的位线重掺杂注入就不会影响字线下的沟道，使编程串扰失效得以改善；/n第四步骤：湿法去除逻辑栅极硬掩膜；/n在第二步骤中，保留逻辑栅极硬掩膜，避免湿法去除逻辑栅极硬掩膜对闪存区字线刻蚀的影响。/n