[发明专利]多晶硅和多晶硅的选择方法在审
| 申请号： | 201710075000.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107083566A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 鲁雯雯,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅和多晶硅的选择方法。本发明提供以比较简便的方法来选择适合用于稳定地以高成品率制造单晶硅的多晶硅的方法。在本发明中，将利用原子力显微镜(AFM)对选取的板状试样的表面测定表面粗糙度时表面最大粗糙度Rpv(Peak‑to‑Valley，峰‑谷)的值为5000nm以下、算术平均粗糙度Ra的值为600nm以下、并且均方根粗糙度Rq的值为600nm以下的多晶硅作为单晶硅的制造用原料。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 选择 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅，利用原子力显微镜AFM对选取的板状试样的表面测定表面粗糙度时，表面最大粗糙度Rpv的值为5000nm以下，算术平均粗糙度Ra的值为600nm以下，并且，均方根粗糙度Rq的值为600nm以下。
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