[发明专利]多晶硅和多晶硅的选择方法在审
| 申请号： | 201710075000.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107083566A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 鲁雯雯,金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 选择 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅，利用原子力显微镜AFM对选取的板状试样的表面测定表面粗糙度时，表面最大粗糙度Rpv的值为5000nm以下，算术平均粗糙度Ra的值为600nm以下，并且，均方根粗糙度Rq的值为600nm以下。
2.如权利要求1所述的多晶硅，其中，所述Rpv值为2500nm以下、所述Ra值为300nm以下、所述Rq值为300nm以下。
3.如权利要求2所述的多晶硅，其中，所述Rpv值为2000nm以下、所述Ra值为100nm以下、所述Rq值为150nm以下。
4.一种多晶硅的选择方法，其中，从多晶硅块切割出板状试样，利用研磨剂对该板状试样的表面进行研磨处理，利用氢氟酸与硝酸的混合液对该研磨处理后的所述板状试样的表面进行蚀刻处理，利用原子力显微镜AFM对该蚀刻处理后的所述板状试样的表面的粗糙度进行评价，在表面最大粗糙度Rpv的值为5000nm以下、算术平均粗糙度Ra的值为600nm以下、并且均方根粗糙度Rq的值为600nm以下的情况下评价为合格品。
5.如权利要求4所述的多晶硅的选择方法，其中，所述Rpv值为2500nm以下、所述Ra值为300nm以下、所述Rq值为300nm以下。
6.如权利要求5所述的多晶硅的选择方法，其中，所述Rpv值为2000nm以下、所述Ra值为100nm以下、所述Rq值为150nm以下。
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