[发明专利]一种石墨烯材料制备方法及器件制备方法有效
| 申请号： | 201710065763.8 | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN106744860B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属材料技术领域，公开了一种石墨烯材料制备方法，包括：将含碳化合物材料置于高真空环境中；采用两束不同波长的激光照射在所述含碳化合物材料的同一区域。本发明工艺制备及转移过程简单，与一般的石墨烯制备方法相比(如，机械剥离法、超声波液相剥离法、以及电化学剥离法等)可以省去现有石墨烯生长后的转移过程，避免了转移过程中石墨烯的损伤，同时该方法可以直接制备石墨烯器件，可以简化制备石墨烯器件所需的光刻工艺，从而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 材料 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯材料制备方法，其特征在于，包括：将含碳化合物材料置于高真空环境中；采用两束不同波长的激光照射在所述含碳化合物材料的同一区域；所述采用两束不同波长的激光照射在所述含碳化合物材料的同一区域包括：第一束高能激光照射含碳化合物材料表面，打断其化学键，表面形成碳离子和其它离子；蒸发所述其它离子，所述碳离子留在所述含碳化合物材料表面；留在所述含碳化合物材料表面的所述碳离子在第二束高能激光的照射下在所述含碳化合物材料表面重组形成石墨烯；所述第一束高能激光和所述第二束高能激光的波长不相同，所述第二束高能激光的波长范围230～270nm。
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