[发明专利]原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度有效
| 申请号： | 201710064610.1 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN107068556B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;杨文兵;克伦·雅各布斯·卡纳里克;索斯藤·利尔;潘阳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度。本文描述了用于通过化学吸附、通过沉积或通过化学吸附和沉积机理两者与氧化物钝化结合来使用原子层蚀刻在衬底上蚀刻半导体材料的方法和装置。涉及使用化学吸附机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于氯以将氯化学吸附到所述衬底表面上，以及将改性表面暴露于氩气以去除所述改性表面。涉及使用沉积机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于含硫气体和氢气以沉积并由此改性衬底表面并去除改性表面。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 蚀刻 结构 水平 竖直 表面上 si sige ge 平滑 | ||
【主权项】：
一种蚀刻衬底的方法，所述方法包括：(a)通过执行以下操作的n个循环来蚀刻衬底：(i)将所述衬底暴露于反应气体以使所述衬底的表面改性而不蚀刻所述衬底的所述表面，以及(ii)在将所述衬底暴露于所述第一蚀刻气体之后，将所述衬底的所述改性表面暴露于去除物质以去除所述改性表面的至少一些；以及(b)将所述衬底周期性地暴露于含氧等离子体以钝化所述衬底的所述表面，其中n是介于1和100之间且包含1和100的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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