[发明专利]用于图案化非挥发性金属的室有效
申请号: | 201710061612.5 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107045969B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 沈美华;黄硕刚;索斯藤·利尔;西奥·帕纳戈波罗斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3213 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述了用于图案化非挥发性金属的室,具体描述了适于在多种压强状态下蚀刻衬底的装置。装置包括处理室,处理室包括能够定位在升高位置或降低位置的能移动基座,喷头和任选的等离子体发生器。装置可适于在能移动基座处于降低位置时使用处理来蚀刻非挥发性金属,以及在能移动基座处于升高位置时使有机蒸气暴露于高压。 | ||
搜索关键词: | 用于 图案 挥发性 金属 | ||
【主权项】:
一种用于处理半导体衬底的装置,所述装置包括:处理室,其包括:喷头,其用于将处理气体分配到所述装置,能移动基座,其用于保持所述半导体衬底,所述能移动基座能够定位在升高位置或降低位置,使得处于所述升高位置的所述能移动基座形成所述能移动基座与所述喷头之间的上部室区域以及在所述能移动基座下方的下部室区域,以及当所述基座移动到所述升高位置时,所述喷头附近的能够与所述能移动基座的边缘对准的区域;入口,其耦合到所述喷头,以用于将处理气体朝向所述喷头输送;等离子体发生器,其用于点燃所述处理室中的等离子体;以及控制器,其用于控制所述装置的操作,所述控制器包括用于将所述基座移动到所述升高位置或降低位置的机器可读指令,其中当所述能移动基座处于所述升高位置时,在所述上部室区域和所述下部室区域之间形成压强差。
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