[发明专利]场效应传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710050175.7 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106872531B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王程;何苗;李奕君;韩世同 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王赛 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场效应传感器及其制造方法。场效应传感器包括场效应晶体管、连接体材料层及含G碱基的DNA单链，所述场效应晶体管具有半导体导电沟道，所述连接体材料层设置在所述导电沟道表面，所述含G碱基的DNA单链单端与所述连接体材料层固定连接，并通过所述连接体材料层固定在所述导电沟道表面附近。制造方法包括：提供场效应晶体管，该场效应晶体管具有半导体导电沟道；对导电沟道预处理，使导电沟道表面具有用于与连接体材料层连接的官能团；在导电沟道上形成连接体材料层；提供末端修饰的含G碱基的DNA单链；以及将含G碱基的DNA单链经过修饰的末端与连接体材料层固定连接。制造方法简单，便于移动携带。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应传感器，其特征在于，包括场效应晶体管、连接体材料层及含G碱基的DNA单链，所述场效应晶体管具有半导体导电沟道，所述连接体材料层设置在所述导电沟道表面，所述导电沟道由硅基半导体材料形成，所述连接体材料层由连接体分子经热处理缩合形成，所述连接体材料层的厚度为2nm至5nm，所述连接体材料层与所述导电沟道通过Si‑O‑Si共价键牢固结合，所述含G碱基的DNA单链单端与所述连接体材料层固定连接，并通过所述连接体材料层固定在所述导电沟道表面附近。
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