[发明专利]费米能级可调的PIN结构石墨烯光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710049335.6 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106784115B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 王军;潘锐;李凯;苟君;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0232 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及石墨烯光探测器领域,本发明器件从下到上依次为衬底、金属层、绝缘层、P掺杂石墨烯层、介质层及N掺杂石墨烯层,在金属层加上栅极电压;绝缘层上具有源极电极、漏极电极、第一电极,其中源极电极和漏极电极分别位于第一石墨烯层的两侧,且均与第一石墨烯层相连接;第一电极和第二电极分别位于第二石墨烯层的两侧,且第一电极与第二石墨烯层相连接;P掺杂石墨烯层、介质层及N掺杂石墨烯层构成PIN结构;第一石墨烯层、源极电极、漏极电极、绝缘层及金属层构成一个场效应晶体管。本发明利用石墨烯材料做成场效应晶体管结构与PIN结构相复合的探测器,实现紫外‑到红外宽波段高响应快速探测。 | ||
搜索关键词: | 费米 能级 可调 pin 结构 石墨 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种费米能级可调的PIN结构石墨烯光探测器,其特征在于,从下到上依次为衬底、金属层、绝缘层、第一石墨烯层、介质层及第二石墨烯层;绝缘层上具有源极电极、漏极电极及第一电极,其中源极电极和漏极电极均与第一石墨烯层相连接,第一电极与第二石墨烯层相连接;其中第一石墨烯层和第二石墨烯层中任意一个为P掺杂,另一个为N掺杂,第一石墨烯层、介质层及第二石墨烯层构成PIN结构;第一石墨烯层、源极电极、漏极电极、绝缘层及金属层构成一个场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的