[发明专利]一种蓝绿发光二极管及其外延方法有效
| 申请号： | 201710039107.0 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108346722B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;陈亮;李俊贤;吴奇隆;刘英策 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 渠述华 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 盖帽层 绿发光二极管 源区 内量子效率 温度阶梯 量子垒 量子阱 阱层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种蓝绿发光二极管，其特征在于：包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成；所述低温前阱层、量子阱和第一盖帽层的生长温度为650‑800摄氏度，第二盖帽层的生长温度为较第一盖帽层升高大于零摄氏度且小于50摄氏度，第三盖帽层的生长温度为较第一盖帽层升高大于50摄氏度且小于120摄氏度。
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