[发明专利]一种刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710033545.6 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN106876303B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 雷通;易海兰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200120 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤S1、在第一温度氛围中对一晶圆进行刻蚀反应，在刻蚀过程中生成副产物并覆盖于晶圆表面；步骤S2、在第二温度氛围中对晶圆表面的副产物进行挥发处理；将步骤S1和步骤S2作为一个完整的周期，进行至少两次以上的循环处理。因此很大程度上优化了晶圆的刻蚀工艺且能进行多片晶圆的工艺生产，产量较高，并保证晶圆在蚀刻过程中的副产物被完全去除，大大的提高了晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，应用于一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：若干基座，每个所述基座的正上方还设有一气体喷头用以通入第一刻蚀气体；每个所述基座均包括一射频开关，用于开启射频以激发所述第一刻蚀气体形成刻蚀性更强的第二刻蚀气体；所述基座包括若干第一基座与若干第二基座，且所述若干第一基座与所述若干第二基座交替排列；所述第一基座的所述射频开关与所述第二基座的所述射频开关的工作状态相互独立；所述刻蚀方法包括：步骤S1、在第一温度氛围中对一晶圆进行刻蚀反应，在刻蚀过程中生成副产物并覆盖于所述晶圆表面；步骤S2、在第二温度氛围中对晶圆表面的副产物进行挥发处理；将步骤S1和步骤S2作为一个完整的周期，进行至少两次以上的循环处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710033545.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
