[发明专利]一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710028457.7 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106884143A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 沈杰;郑明扬;任锦华;靳琦 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种在太赫兹波段具有可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法。本发明利用反应直流磁控溅射及退火技术调控掺钼氧化锌薄膜在太赫兹波段的光学特性，具体为利用反应直流磁控溅射方法，以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以石英玻璃为基板，用Ar离子轰击靶材，形成具有多晶结构的掺钼氧化锌薄膜。然后在特定条件下退火，调节掺钼氧化锌薄膜在太赫兹波段的透射率。本发明方法工艺稳定性好，具有工业生产前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 赫兹 波段 可控 透射率 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在基板温度为20~300℃条件下，以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以石英玻璃为基板，通过反应直流磁控溅射法，用Ar离子轰击靶材进行溅射，溅射电流150~300mA，溅射电压100~400V，反应室内的气体为氧氩混合气体，溅射时压强为0.45~2.5Pa，其中O2反应气体的分压百分含量为4.0～20.0％，溅射时间40~100分钟，形成具有多晶结构的掺钼氧化锌薄膜；（2）然后，在大气或氩气或氮气或真空条件下退火，退火时间为15~240min，退火温度为100~600℃，得到在太赫兹波段具有可控透射率的掺钼氧化锌透明导电薄膜。
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