[发明专利]一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法有效
| 申请号： | 201710018478.0 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106887253B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王帆;黄华 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/56 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法，避免了由于测试针卡异常造成的量产滞后问题，并同时降低了量产的成本。本发明的测试方案包括以下步骤：1)晶圆起测；2)确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完成所有的测试项；3)功能测试，即执行DRAM的各种功能测试项；4)测试结束。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 测试 进行 dram 方法 | ||
【主权项】：
一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法，包括步骤1：晶圆起测；步骤2：确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完成所有的测试项；步骤3：功能测试，即执行DRAM的各种功能测试项；步骤4：测试结束。
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