[发明专利]光电二极管集成器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种光电二极管集成器件及其制备方法。该光电二极管集成器件包括P型单晶硅衬底，该衬底上设置有若干光电二极管集成器件单元，包括Photo Diode单元、NMOS单元和PMOS单元；还包括依次层叠设置的第一介电层、第一金属层、透光层、第二介电层和第二金属层。本发明光电二极管集成器件在CMOS工艺中集成，直接将光电二极管做在CMOS的普通P型单晶硅衬底上，不需要高成本的外延层，大大降低了成本，扩展其应用范围。

主权项

一种光电二极管集成器件，其特征在于，所述光电二极管集成器件基于CMOS工艺形成，包括：P型单晶硅衬底，所述P型单晶硅衬底内部形成有N阱区和P阱区，所述P阱区内部形成有P+扩散区；所述P型单晶硅衬底上设置有若干光电二极管集成器件单元，所述光电二极管集成器件单元包括Photo Diode单元、NMOS单元和PMOS单元；所述Photo Diode单元设置在所述N阱区，包括在所述N阱区内设置的N+扩散区；所述NMOS单元设置在所述P阱区，所述PMOS单元设置在所述N阱区；所述NMOS单元和PMOS单元均包括源极、漏极和栅极；且所述Photo Diode单元、NMOS单元和PMOS单元均包括设置在所述P型单晶硅衬底上的栅氧化层和场氧化层；在所述N+扩散区和场氧化层表面依次层叠设置有第一介电层、第一金属层、透光层、第二介电层和第二金属层，其中，所述N+扩散区表面的第一介电层厚度小于所述NMOS单元和PMOS单元的第一介电层厚度。