[发明专利]被膜

摘要

根据本发明，位于基材表面的被膜中的至少一层为晶畴结构层，该晶畴结构层由组成不同的至少两种晶畴以及组成与各晶畴不同的薄层构成。薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与这两种晶畴接触。当将晶畴结构层的面内方向上的各个第一晶畴的尺寸定义为与各个第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个第一晶畴的尺寸的平均值为1nm至10nm(包括端点)，并且在晶畴结构层的厚度方向上的薄层的厚度为1原子层至10原子层(包括端点)。

主权项

1.一种位于基材的表面上的被膜，该被膜包括：一个或多个层，所述层中的至少一层是由组成不同的两种或多种晶畴以及组成与各所述晶畴不同的薄层构成的晶畴结构层，所述薄层位于任意一种晶畴和任意另一种晶畴之间并且与所述晶畴相接触，作为所述两种或多种晶畴中的一种晶畴的第一晶畴和作为所述两种或多种晶畴中的另一种晶畴的第二晶畴由选自由Al、B、Si和元素周期表中第4、5、6族的元素构成的组中的至少一种元素和选自由B、O、C和N构成的组中的至少一种元素组成，所述薄层由选自B和Si中的至少一种元素以及选自B、O、C和N中的至少一种元素组成，所述晶畴结构层中存在多个所述第一晶畴，当将所述晶畴结构层的面内方向上的各个所述第一晶畴的尺寸定义为与各个所述第一晶畴接触的虚拟外接圆的直径时，各个所述第一晶畴的尺寸的平均值为1nm以上10nm以下，并且在所述晶畴结构层的厚度方向上的所述薄层的厚度为1原子层以上10原子层以下。