[发明专利]单片集成器件和微全分析系统在审
| 申请号： | 201680079232.8 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN108475685A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;G01P15/093;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成器件和微全分析系统。该用于感测的单片集成器件包括：微发光二级管；光检测器；以及感测通道，其中，所述微发光二级管与所述感测通道耦合并被配置用于向所述感测通道发射光，以及所述光检测器与所述感测通道耦合并被配置用于感测由所述微发光二极管发射的并传播通过所述感测通道的至少一部分的光。本发明的一个实施例提出了一种新型的具有内建光源和光检测系统的用于感测的单片集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 感测 单片集成器件 微全分析系统 发光二级管 光检测器 微发光二极管 光检测系统 发射光 合并 内建 配置 光源 发射 传播 | ||
【主权项】：
1.一种用于感测的单片集成器件，包括：微发光二级管；光检测器；以及感测通道，其中，所述微发光二级管与所述感测通道耦合并被配置用于向所述感测通道发射光，以及所述光检测器与所述感测通道耦合并被配置用于感测由所述微发光二极管发射的并传播通过所述感测通道的至少一部分的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
