[发明专利]伪双端口存储器有效
| 申请号： | 201680053088.0 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108027787B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | T·C·Y·郭;N·N·德塞;晶昌镐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;杜波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了存储器和用于访问存储器的方法的各方面。存储器包括多个存储器单元，其被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟的控制电路。在第一模式下写入时钟的定时是读取时钟的定时的函数，并且在第二模式下是存储器周期的定时。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：多个存储器单元，被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及在第二模式下在所述存储器周期中支持只写操作；以及控制电路，被配置为生成用于所述读取操作的读取时钟和用于所述写入操作的写入时钟，其中所述写入时钟响应于以下各项而被生成：在所述第一模式下所述读取时钟的重置，以及在所述第二模式下所述存储器周期的开始。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680053088.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
