[发明专利]静电卡盘加热器有效
| 申请号： | 201680004220.9 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107113921B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 竹林央史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H05B3/20;H05B3/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静电卡盘加热器(20)，其具备静电卡盘(22)、片状加热器(30)和支撑台(60)。静电卡盘(22)是在陶瓷烧结体(26)中埋设静电电极(24)而成的。片状加热器(30)是具有多个修正加热电极(34)和多个基准加热电极(44)的树脂片(32)。该片状加热器(30)的一面与静电卡盘(22)树脂粘接，另一面与金属制的支撑台(60)树脂粘接。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 加热器 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘加热器，其具备：静电卡盘，其在陶瓷烧结体中埋设有静电电极而成，片状加热器，其是具有1个或多个加热电极的树脂片，该片状加热器的一面与所述静电卡盘树脂粘接，以及金属制的支撑台，其与所述片状加热器的另一面树脂粘接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680004220.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
