[实用新型]一种肖特基pn结集成器件有效
| 申请号： | 201620750249.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN205881913U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，P基区上设有N基区、P+阳极发射区，N基区位于P基区的上侧，P+阳极发射区位于P基区的下侧，N基区上设有两个P+保护环、N+发射区，两个P+保护环、N+发射区都位于N基区的上方，两个P+保护环都与肖特基势垒金属层相连接，肖特基势垒金属层为正极A，N+发射区为负极，P+阳极发射区为正极B。本实用新型提高了肖特基二极管的反向耐压值，并降低通态压降，增大了通态电流。因此，本实用新型保持了超高速开通、低通态压降的优良特性，并满足电力电子对肖特基二极管高反向耐压值的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 pn 结集 成器 | ||
【主权项】：
一种肖特基pn结集成器件，其特征在于，包括P基区(6)、肖特基势垒金属层(2)，所述肖特基势垒金属层(2)位于在P基区(6)的顶端，所述P基区(6)上设有N基区(5)、P+阳极发射区(7)，所述N基区(5)位于P基区(6)的上侧，所述P+阳极发射区(7)位于P基区(6)的下侧，所述N基区(5)上设有两个P+保护环、N+发射区(4)，所述两个P+保护环、N+发射区(4)都位于N基区(5)的上方，所述两个P+保护环都与肖特基势垒金属层(2)相连接，所述肖特基势垒金属层(2)为正极A，所述N+发射区(4)为负极，所述P+阳极发射区(7)为正极B。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于，未经许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620750249.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
