[实用新型]一种NMOS管高电压高速驱动电路有效
申请号: | 201620696384.X | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN205792499U | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 姜文耀;陶勇 | 申请(专利权)人: | 浙江桃园科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310013 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种NMOS管高电压高速驱动电路。包括输入保护整流电路、驱动主电路和主回路电路。输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管,四个整流二极管组成;驱动主电路由PNP转换三极管Q1,PNP释放三极管Q2、NPN放大三极管Q3(可去除),限流电阻R1、释放电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、限流电阻R5、释放电阻R6(可去除)、快速关断电容C1、分流二极管D6、稳压二极管D8(可去除);主回路电路由NMOS管M1、续流二极管D7和负载L1组成。本实用新型是一种功耗小、成本低,可承受输入电压范围大,开关速度快的驱动电路。 | ||
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【主权项】:
一种NMOS管高电压高速驱动电路,其特征在于:包括输入保护整流电路、驱动主电路和主回路电路;输入保护整流电路,包括整流四个二极管D2~ D5和双向TVS管或双向稳压二极管D1,主回路电路,包括NMOS管M1、二极管D7和负载L1,输入保护整流电路对驱动主电路和主回路电路供直流电。
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