[实用新型]一种图形化栅结构的微波晶体管有效
| 申请号： | 201620692250.0 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN205900552U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;叶念慈;黄侯魁 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种图形化栅结构的微波晶体管，该晶体管在势垒层于源极和漏极之间具有一图形化区域，图形化区域内设置有复数个由势垒层表面沿厚度方向部分下凹形成的凹槽，栅极覆设于图形化区域上，且栅极长度大于该些凹槽于栅极长度方向上的长度以完全覆盖该些凹槽，一方面借由凹槽的设置增强器件的栅控能力，抑制短沟道效应；另一方面栅极下方原始的异质结构得到了保留，避免二维电子气密度下降引起导电能力降低，从而在实现抑制短沟道效应的同时保证了器件的电流输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 结构 微波 晶体管 | ||
【主权项】：
一种图形化栅结构的微波晶体管，所述晶体管由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层及势垒层，势垒层上设置有源极、漏极及栅极，且栅极位于源极和漏极之间，其特征在于：所述势垒层于源极和漏极之间具有一图形化区域，所述图形化区域内设置有复数个由势垒层表面沿厚度方向部分下凹形成的凹槽；所述栅极覆设于所述图形化区域上，且栅极长度大于该些凹槽于所述栅极长度方向上的长度以完全覆盖该些凹槽。
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