[实用新型]双端口寄存器组和电子系统

摘要

披露了双端口寄存器组和电子系统。该寄存器组可以用于在使用不同电压或频率运行的两个电源域之间传递数据。该寄存器组包括存储器单元，该存储器单元存储在这些域之间传递的数据。该存储器单元可以独立地供应有基准电压，该基准电压独立于存储器周围的基准电压。写入电源域根据其工作电压和频率将数据写入至该存储器单元，并且独立的读出电源域可以根据其独立的工作电压和频率从该存储器单元读出数据。该寄存器组促成在读出电源域与写入电源域之间的高效交叉。根据本公开的实施例，可以提供在多个隔离电源域之间提供高效数据传递的接口。

主权项

一种电子系统，其特征在于，包括：多个隔离电源域，所述多个隔离电源域包括存储器单元电源域、写入电源域和读出电源域，其中：所述存储器单元电源域被配置成用于将基准电压供应至存储器单元基准电压节点；所述写入电源域被配置成用于将电压供应至第一写入域节点和第二写入域节点；并且所述读出电源域被配置成用于将电压供应至第一读出域节点、第二读出域节点和第三读出域节点并且感测在第四读出域节点处的电压；以及存储器单元，所述存储器单元包括第一反相器和第二反相器，所述存储器单元的第一节点电耦接至所述第二反相器的输入节点和所述第一反相器的输出节点，并且所述存储器单元的第二节点电耦接至所述第一反相器的输入节点和所述第二反相器的输出节点，所述第一反相器和所述第二反相器的电源供应节点电耦接至所述存储器单元基准电压节点；写入位线，所述写入位线电耦接至所述第一写入域节点或所述存储器单元电源域的所述基准电压；互补写入位线，所述互补写入位线电耦接至所述第二写入域节点或所述存储器单元电源域的所述基准电压；第一写入存取晶体管，所述第一写入存取晶体管具有电耦接至所述第一节点的源极、电耦接至所述写入位线的漏极以及电耦接至写入字线的栅极；第二写入存取晶体管，所述第二写入存取晶体管具有电耦接至所述第二节点的源极、电耦接至所述互补写入位线的漏极和电耦接至所述写入字线的栅极；读出字线，所述读出字线电耦接至所述第一读出域节点；读出位线，所述读出位线电耦接至所述第二读出域节点；读出端口，所述读出端口包括堆叠的第一读出晶体管和第二读出晶体管，所述第一读出晶体管具有电耦接至所述读出位线的源极、电耦接至所述第二读出晶体管的源极的漏极以及电耦接至所述读出字线的栅极，所述第二读出晶体管具有电耦接至接地的漏极以及电耦接至所述存储器单元的所述第二节点的栅极；以及感测晶体管，所述感测晶体管具有电耦接至所述第三读出域节点的栅极、电耦接至所述第四读出域节点的漏极以及电耦接至所述读出位线的源极。