[实用新型]一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620604017.2 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN205810811U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L29/872 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片，属于半导体制造领域。其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽，在沟槽的侧壁下部以及沟槽的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。本大导电面积的沟槽式肖特基芯片，在相同芯片面积的前提下，兼顾了芯片的耐压能力以及导电面积，提高了导电效率同时不会对增大正向压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 面积 沟槽 式肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种大导电面积的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：包括外延层（4），在外延层（4）的表面设置有多个沟槽（5），在沟槽（5）的侧壁下部以及沟槽（5）的底部设置有沟槽底部氧化层（3），在沟槽底部氧化层（3）内部填充有多晶硅（2），在外延层（4）的上表面、沟槽侧壁上部以及多晶硅（2）的上表面上设置有肖特基界面（1）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
