[实用新型]金属通孔电阻的测试结构有效
| 申请号： | 201620585899.2 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN205670533U | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐俊杰;张前江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种金属通孔电阻的测试结构，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条；待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。本实用新型提供的测试结构能够精确测量多层结构晶片中待测金属通孔的电阻值，从而准确判断和分析出晶片结构中顶层金属层和顶层下方的金属层之间的电路导通情况。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种金属通孔电阻的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条，所述第一金属块组的第N层金属块与所述第三金属块组的第N层金属块通过所述第N层桥接金属条连接，所述第二金属块组的顶层金属块与所述第四金属块组的顶层金属块通过所述顶层桥接金属条连接；以及待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
