[实用新型]一种具有高稳定性的硅电容结构有效
| 申请号： | 201620489959.0 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN205785604U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘建杰;郑俊杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市科顺达电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 | 代理人： | 姜彦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有高稳定性的硅电容结构，包括硅膜片、集成电路、密封面、加热块、导压管、压块、玻璃一、硅芯片、封接面、玻璃二和引脚。本实用新型的有益效果是：该种具有高稳定性的硅电容结构采用玻璃一和玻璃二均设有两块，且两块玻璃一和玻璃二形成对称结构，起到固定密封及电极导出的作用和提高整体的稳定性；硅芯片与硅膜片连接形成岛膜结构，且硅芯片的厚度比硅膜片的厚度厚，提高了硅电容的灵敏度、降低它的输出阻抗和减轻对电路和传感器绝缘的要求；集成电路连接压块和加热块，且硅芯片与玻璃二、玻璃一之间通过封接面连接，在集成电路的作用下，玻璃和硅交界面形成较大静电场，使其具有良好的气密性和长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定性 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种具有高稳定性的硅电容结构，包括集成电路(2)以及连接在所述集成电路(2)一侧的压块(6)，其特征在于：所述压块(6)底端设有玻璃一(7)；所述玻璃一(7)底端设有硅芯片(8)，且所述硅芯片(8)底端设有封接面(9)；所述硅芯片(8)中间连接硅膜片(1)，所述封接面(9)连接玻璃二(10)，且所述玻璃二(10)一侧设有密封面(3)；所述玻璃二(10)底端连接导压管(5)，且所述导压管(5)在加热块(4)的中心面；所述加热块(4)一侧设有引脚(11)。
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