[实用新型]一种开阖式盒型电极半导体探测器有效
申请号: | 201620384599.8 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN205643730U | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 李正;刘曼文;熊波;李玉云;冯明富 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;H01L31/115 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 郭官厚 |
地址: | 41110*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体探测器技术领域,公开了一种开阖式盒型电极半导体探测器,包括了沟槽电极和中央柱状电极,通过对传统半导体探测器的沟槽电极进行改良设计,沟槽电极采用开阖式结构,通过斜纹状半导体基体将沟槽电极分隔为结构相同且互为互补的两半,克服了传统的基底结构设计,避免了死区的出现;经过合理设计的开阖式盒型电极半导体探测器,可以采用通过共用沟槽电极的电极壁可组成任意M*N阵列探测器,探测器阵列中各个探测器的电场分布更均匀,每一个单元不会受其他单元的影响,从而达到更好的探测效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 开阖式盒型 电极 半导体 探测器 | ||
【主权项】:
一种开阖式盒型电极半导体探测器,其特征在于,包括了半导体基体、沟槽电极和中央柱状电极,所述的沟槽电极和中央柱状电极由半导体基体通过贯穿刻蚀、扩散掺杂的方法制备形成,所述的沟槽电极环绕于中央柱状电极之外,所述的沟槽电极为开阖式结构,所述的沟槽电极为矩形中空电极,沟槽电极刻蚀成结构相同,且结构上互为互补的两半,在沟槽电极间没有刻蚀部分形成斜纹状半导体基体,且斜纹状半导体基体宽度小于10μm,所述的阖式盒型电极半导体探测器通过共用沟槽电极的电极壁可组成M*N阵列探测器,其中M,N均为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620384599.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于系统级芯片的安全触摸键盘
- 下一篇:一种防静电腕带接地状态实时监测仪