[实用新型]一种单晶硅谐振式密度传感器有效
| 申请号： | 201620120873.0 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN205580920U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张传洲 | 申请（专利权）人： | 天津合众丰源石油技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N9/00 | 分类号： | G01N9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市塘沽区经济技术开发区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶硅谐振式密度传感器，包括永久磁石、单晶硅芯片和振动子，所述单晶硅芯片通过振动子与永久磁石相连，所述单晶硅芯片与永久磁石之间形成磁场，在单晶硅芯片表面的中心和边缘设有两个形状大小完全一致的H形状的谐振梁，所述谐振梁位于单晶硅芯片的下表面，且处于磁场中，所述谐振梁产生的谐振信号通过特性修正存贮器处理并传输给微处理器，所述微处理器通过D/A转换器转换为特定频率的数字信号，并传输至手持智能终端，本实用新型利用单晶硅谐振式传感器制造的密度传感器采用微电子机械加工新技术，具有高精度，高稳定性和高可靠性，连续长时间工作不需要调校零点，具有国内先进水平，完全可以替代原来的电容式密度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 谐振 密度 传感器 | ||
【主权项】：
一种单晶硅谐振式密度传感器，其特征在于，包括永久磁石、单晶硅芯片和振动子，所述单晶硅芯片通过振动子与永久磁石相连，所述单晶硅芯片与永久磁石之间形成磁场，在单晶硅芯片表面的中心和边缘设有两个形状大小完全一致的H形状的谐振梁，所述谐振梁位于单晶硅芯片的下表面，且处于磁场中，所述谐振梁产生的谐振信号通过特性修正存贮器处理并传输给微处理器，所述微处理器通过D/A转换器转换为特定频率的数字信号，并传输至手持智能终端。
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