[实用新型]一种具有电流阻挡层的发光二极管有效
| 申请号： | 201620057121.4 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN205542858U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;刘啸 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种具有电流阻挡层的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域。通过外延生长，于外延结构顶部设置一层非欧姆接触的氮化铝外延层充当电流阻挡层，改变P型电极底下的电流垂直走向，增加ITO的电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。采用氮化铝直接形成外延结构之上充当电流阻挡层，替代传统的后期芯片工艺形成氮化硅、二氧化硅等非导电的材料充当电流阻挡层，减少了芯片制作工序及成本。采用氮化铝与外延发光结构一体成型的外延结构，P型电极形成于氮化铝外延材料之上，有效地解决了P型电极形成于二氧化硅等电流阻挡层材料之上容易导致电极打线开裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有电流阻挡层的发光二极管，在衬底同一侧依次设置缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源层、第二型导电层、欧姆接触层，其特征在于在欧姆接触层上设置氮化铝电流阻挡层和ITO导电层；在第一型导电层上设置第一电极；在氮化铝电流阻挡层上设置第二电极，且第二电极与ITO导电层局部接触。
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