[发明专利]一种自旋波波片

摘要

本发明属于磁性器件技术领域，具体为一种自旋波波片。该自旋波波片基于具有DMI效应的反铁磁材料（或人工反铁磁结构），其结构为一垂直磁化的反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与一磁畴壁。当体系具有DMI效应时，平行于磁畴壁的线偏模式与垂直于磁畴壁的线偏模式会经历不同的传播过程，从而产生相位差，由此入射的自旋波的偏振状态能够被任意调控。本发明结构简单，易于制备，功耗小，易与现有电子芯片技术结合，可用于有效操控自旋波的偏振特性并实现进一步的逻辑运算。

主权项

1.一种自旋波波片，其特征在于，是在具有效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构上构造的磁结构，利用磁畴壁对不同偏振自旋波的相位延迟不同实现调制自旋波偏振状态的功能；所述磁结构为一反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块相反磁取向的磁畴以及在磁畴之间自然形成的磁畴壁；自旋波能够在该反铁磁纳米线中传播，即自旋波从纳米线的一端输入，通过磁畴壁后从纳米线的另一端输出。