[发明专利]蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法有效
| 申请号： | 201611246164.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106757028B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 施建根 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 226000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法，所述蚀刻液包括0.5‑5质量份的颗粒，所述颗粒为实心结构，所述颗粒的粒径为1‑10nm；或者，所述颗粒为多孔结构，所述颗粒的所述多孔结构的孔径为1‑10nm；所述半导体封装器件包括金属再布线层，所述金属再布线层的表面通过所述的蚀刻液蚀刻处理。通过上述方式，本发明能够增加金属再布线层与其上方材料的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装器件 蚀刻液 金属再布线层 多孔结构 制备 蚀刻处理 实心结构 结合力 质量份 粒径 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液，用于半导体封装，其特征在于，包括：0.5‑5质量份的颗粒；所述蚀刻液为酸性体系或碱性体系；所述蚀刻液用于蚀刻金属铜和/或金属钛；所述金属铜的所述蚀刻液为酸性体系，其中，氯化铜占5质量份，浓盐酸占10质量份，双氧水占25质量份，多孔粒径为5nm的多孔氮化硅颗粒占3质量份，溶剂水占57质量份；或者，所述金属铜的所述蚀刻液为碱性体系，其中，氯化铜占15质量份，氨水占20质量份，粒径为1nm的硫酸钾颗粒占5质量份，溶剂水占60质量份；或者，所述金属钛的所述蚀刻液为酸性体系，其中，氯化铁占25质量份，氢氟酸占25质量份，粒径为10nm的硫酸钡颗粒占4质量份，溶剂水占46质量份。
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