[发明专利]一种柔性器件的制作方法有效
申请号: | 201611245004.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106711078B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 郭瑞;贺良伟;徐磊;卜凡中;赵景训;俞凤至 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种柔性器件的制作方法,包括:(1)在底板上制作第一电极层,在第一电极层中设置通道;(2)在第一电极层上制作第一电致伸缩性材料膜,且第一电致伸缩性材料膜延伸通过通道与底板相连接;(3)在第一电致伸缩性材料膜的上表面形成第二电极层;(4)在第二电极层的上表面制作柔性基板,在柔性基板上制作功能器件;(5)在第一电极层和第二电极层之间施加第一电压,并使第一电压大于第一电致伸缩性材料膜的相变阈值电压,以使与底板相连接的第一电致伸缩性材料膜发生形变从而至少部分脱离底板;(6)将第一电极层和第一电致伸缩性材料膜从底板上剥离。该方法简单易行,可实现大面积柔性基板剥离并有利于提高柔性器件的制作良率。 | ||
搜索关键词: | 伸缩性材料 底板 电致 第一电极 制作 第二电极 柔性基板 柔性器件 上表面 剥离 功能器件 阈值电压 形变 良率 施加 脱离 延伸 申请 | ||
【主权项】:
1.一种柔性器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在底板上制作第一电极层,在所述第一电极层中设置通道;(2)在所述第一电极层上制作一层第一电致伸缩性材料膜,且所述第一电致伸缩性材料膜延伸通过所述通道覆盖在所述底板的裸露部分上;(3)在所述第一电致伸缩性材料膜的上表面形成第二电极层;(4)在所述第二电极层的上表面制作柔性基板,在所述柔性基板上制作功能器件;(5)在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加第一电压,并使所述第一电压大于所述第一电致伸缩性材料膜的相变阈值电压,以使与所述底板相连接的所述第一电致伸缩性材料膜发生形变从而至少部分脱离所述底板;(6)将所述第一电极层和所述第一电致伸缩性材料膜从所述底板上剥离;其中,所述第一电极层包括在所述底板上并排间隔设置的多个条状电极,相邻的所述条状电极之间的间隔形成所述通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611245004.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体管的修复方法和装置
- 下一篇:高线性度毫米波器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造