[发明专利]一种柔性器件的制作方法有效
申请号: | 201611245004.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106711078B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 郭瑞;贺良伟;徐磊;卜凡中;赵景训;俞凤至 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 伸缩性材料 底板 电致 第一电极 制作 第二电极 柔性基板 柔性器件 上表面 剥离 功能器件 阈值电压 形变 良率 施加 脱离 延伸 申请 | ||
1.一种柔性器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在底板上制作第一电极层,在所述第一电极层中设置通道;
(2)在所述第一电极层上制作一层第一电致伸缩性材料膜,且所述第一电致伸缩性材料膜延伸通过所述通道覆盖在所述底板的裸露部分上;
(3)在所述第一电致伸缩性材料膜的上表面形成第二电极层;
(4)在所述第二电极层的上表面制作柔性基板,在所述柔性基板上制作功能器件;
(5)在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加第一电压,并使所述第一电压大于所述第一电致伸缩性材料膜的相变阈值电压,以使与所述底板相连接的所述第一电致伸缩性材料膜发生形变从而至少部分脱离所述底板;
(6)将所述第一电极层和所述第一电致伸缩性材料膜从所述底板上剥离;
其中,所述第一电极层包括在所述底板上并排间隔设置的多个条状电极,相邻的所述条状电极之间的间隔形成所述通道。
2.根据权利要求1所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述底板为柔性玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述底板为刚性玻璃基板。
4.一种柔性器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在底板上制作介质层,在所述介质层上制作第一电极层,在所述第一电极层中设置通道;其中,所述底板为柔性玻璃基板或刚性玻璃基板;
(2)在所述第一电极层上制作一层第一电致伸缩性材料膜,且所述第一电致伸缩性材料膜延伸通过所述通道覆盖在所述介质层的裸露部分上;
(3)在所述第一电致伸缩性材料膜的上表面形成第二电极层;
(4)在所述第二电极层的上表面制作柔性基板,在所述柔性基板上制作功能器件;
(5)在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加第一电压,并使所述第一电压大于所述第一电致伸缩性材料膜的相变阈值电压,以使与所述介质层相连接的所述第一电致伸缩性材料膜发生形变从而至少部分脱离所述介质层;
(6)将所述第一电极层和所述第一电致伸缩性材料膜从所述介质层上剥离。
5.根据权利要求4所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,
在所述底板上制作所述介质层之前,在所述底板上制作第三电极层,在所述第三电极层上制作第二电致伸缩性材料膜,在所述第二电致伸缩性材料膜的表层刻蚀形成多个电极沟槽,在所述多个电极沟槽内填充第四电极,然后在所述第二电致伸缩性材料膜以及所述第四电极的表面制作所述的介质层。
6.根据权利要求5所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,在实现如权利要求4所述的步骤(1)、(2)、(3)、(4);
在步骤(5)中,在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加所述第一电压,并使所述第一电压大于所述第一电致伸缩性材料膜的相变阈值电压;以及在所述第三电极层和第四电极之间施加第二电压,并使所述第二电压大于所述第二电致伸缩性材料膜的相变阈值电压;以使与所述介质层相连接的所述第一电致伸缩性材料膜、所述第二电致伸缩性材料膜发生形变从而至少部分脱离所述介质层;
步骤(6)将所述第一电极层和所述第一电致伸缩性材料膜从所述介质层上剥离。
7.根据权利要求6所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述介质层的材料选自SiO2、SiNx和Al2O3。
8.根据权利要求6所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述介质层的厚度为100nm-500nm。
9.根据权利要求5所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述第一电致伸缩性材料膜和第二电致伸缩性材料膜各自独立地选自向列相液晶物理凝胶和铁电液晶弹性体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造