[发明专利]利用保留操作晶圆区段进行装置层移送有效
| 申请号： | 201611235733.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039291B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;马克塔·G·法罗;约翰·A·福特席梦斯;玛克·D·贾菲;兰迪·L·沃夫 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及利用保留操作晶圆区段进行装置层移送，其提供集合体，包括硅绝缘体(SOI)衬底的装置层、及取代该SOI衬底的操作晶圆的取代衬底，还提供用于将该SOI衬底的装置层从操作晶圆移送至取代衬底的方法。在操作晶圆的第一区段中形成装置结构，并且移除与操作晶圆的第一区段毗连的操作晶圆的第二区段，以曝露硅绝缘体衬底的埋置型介电层的表面。使永久衬底附接至埋置型介电层的表面。当永久衬底附接至埋置型介电层的表面时，永久衬底中界定的凹穴内侧接收操作晶圆的区段。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 保留 区段 进行 装置 移送 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包含：提供包括装置层、操作晶圆以及位于该装置层和该操作晶圆之间的埋置型介电层的硅绝缘体衬底；形成延伸穿过该装置层及该埋置型介电层进入该操作晶圆的第一区段中的一或多个深沟槽电容器；移除与该操作晶圆的该第一区段毗连的该操作晶圆的第二区段，以曝露该硅绝缘体衬底的该埋置型介电层的表面；使永久衬底附接至该埋置型介电层的该表面；以及当该永久衬底附接至该埋置型介电层时，在该永久衬底中界定的凹穴内侧接收该操作晶圆的该第一区段。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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