[发明专利]一种石墨烯化学修饰方法在审
| 申请号： | 201611229355.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783560A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 卢维尔;夏洋;程嵩;张庆钊;王欢;李楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;C01B32/194;B82Y10/00;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨烯修饰技术领域，公开了一种石墨烯化学修饰方法，包括对石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；对光化学修饰后的石墨烯及基底进行原子层选择性沉积。本发明解决了现有技术不能既对石墨烯进行结构和性能调试，又能直接制备出石墨烯器件的问题。本发明提供的石墨烯化学修饰方法制备工艺简单，能根据需求调制石墨烯的性能和结构，且能更加便捷地制备石墨烯器件，减少了通常石墨烯器件制备中曝光、沉积、刻蚀等复杂的工艺对石墨烯带来的污染和缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 化学 修饰 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯化学修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：对石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；对所述光化学修饰后的石墨烯及基底进行原子层选择性沉积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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