[发明专利]一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法有效
| 申请号： | 201611213829.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108242396B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 史训达 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法。该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛过程、中抛过程和精抛过程；粗抛过程、中抛过程和精抛过程分别按四个阶段进行，其中，中抛过程的第一至第二阶段采用研磨剂为粒径在20‑200纳米的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 抛光 表面 粗糙 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法，其特征在于，该方法包括利用抛光布、抛光液对硅片进行化学机械抛光处理的过程，该过程包括粗抛过程、中抛过程和精抛过程；粗抛过程、中抛过程和精抛过程分别按四个阶段进行，其中，中抛过程的第一至第二阶段采用研磨剂为粒径在20‑200纳米的SiO2颗粒的碱性抛光液B，该抛光液中所含SiO2胶体与去离子水的体积比为1∶(15‑40)；中抛过程第三阶段采用研磨剂为粒径在3‑50纳米的SiO2颗粒的碱性抛光液C，该抛光液中所含SiO2胶体与去离子水的体积比为1∶(30‑100)；中抛过程的各阶段温度控制在20℃‑40℃。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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