[发明专利]一种半导体光电传感器

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。

主权项

1.一种半导体光电传感器，其特征在于，由以下几个部分组成：不掺杂或是弱掺杂的衬底（1），埋层氧化层（2）和半导体沟道区（3），在半导体沟道区之上是覆盖沟道的栅氧化层（4）以及部分覆盖半导体沟道区的正栅极（5）；此外，在左边的源极区域是重p型掺杂的半导体区域（6），在右边是重n型掺杂的漏极区域（7）；传感器有四个外接金属电极，分别是源极金属接触（8），漏极金属接触（9），正栅极金属接触（10）和背栅极金属接触（11），其中：源漏为重度反型掺杂，即一方为n型而另一方为p型掺杂；且源漏的掺杂深度浅至5nm，深可覆盖整个半导体沟道区；栅极只覆盖部分沟道，栅极离源极和漏极均有一段距离，该距离大于50nm。